首页> 中国专利> 利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线

利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线

摘要

一种形成包括氮的电介质薄膜的方法。该方法包括利用氮化气体和快速热退火处理将氮加入到电介质薄膜中,其中用于快速热退火处理的超低压等于或小于10Torr。

著录项

  • 公开/公告号CN1757098B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料有限公司;

    申请/专利号CN200480005652.9

  • 发明设计人 P·K·纳万卡;G·迈纳;A·莱波特;

    申请日2004-02-04

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-11

    授权

    授权

  • 2006-05-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-05

    公开

    公开

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