氢等离子体处理对GaAs/AlGaAs超晶格材料性能的影响

摘要

在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中 ,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在 ,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度 .样品经过氢等离子体处理后 。