掺杂对GaAs/AlGaAs材料体系电学性能的影响研究

目录

声明

第1章 绪论

1.1 引言

1.2 AlGaAs材料制备方法介绍

1.3 国内外研究现状

1.4 本文主要研究内容

第2章 MOCVD生长技术及材料表征方法

2.1 MOCVD生长系统

2.2 MOCVD外延生长AlGaAs材料的基本原理

2.3 样品表征手段

2.3.1 霍尔效应测试

2.3.2 X射线衍射

2.3.3 X射线光电子能谱

2.3.4 电化学测试

第3章 N型掺杂AlGaAs材料的研究

3.1 AlxGa1-xAs材料生长速率与组分计算

3.2 N型AlxGa1-xAs材料的制备技术

3.2.1 生长温度对AlxGa1-xAs材料导电类型的影响

3.2.2Ⅴ/Ⅲ比对AlxGa1-xAs材料导电类型的影响

3.3 不同组分N型AlxGa1-xAs材料掺杂实验

3.3.1 样品制备

3.3.2 不同组分N型AlxGa1-xAs材料掺杂特性研究

3.4 本章小结

第4章 非故意掺杂AlGaAs材料的研究

4.1 温度对非故意掺杂AlxGa1-xAs材料的影响

4.2Ⅴ/Ⅲ比对非故意掺杂AlxGa1-xAs材料的影响

4.3 本章小结

第5章 半导体激光器外延结构中AlGaAs生长优化研究

5.1 P型AlGaAs材料的掺杂调控

5.2 半导体激光器中AlGaAs的掺杂及优化

5.3 本章小结

第6章 结论与展望

6.1 结论

6.2 展望

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果

致谢