一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法

摘要

一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H₂SO₄∶H₂O₂∶H₂O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H₃PO₄∶H₂O₂∶H₂O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H₃PO₄和H₂O₂两种组分组成，各组分的体积比为H₃PO₄∶H₂O₂＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。