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显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀

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本文提出了一种采用超声 AB腐蚀方法显示 GaAs/AlGaAs单晶缺陷的新方法.该方法可以在自然光环境、常温下显示位错露头、位错线、层错、微沉淀及生长条纹等多种晶体缺陷,分辨率高,腐蚀坑形状规则,操作简便.

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来源
《半导体学报》 |1992年第12期|763-766|共4页
作者
陈诺夫;
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作者单位

河北工学院电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
GaAs/AlGaAs; 缺陷; 超声腐蚀; 腐蚀;

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