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许兆鹏;
南京电子器件研究所;
磷化镓; 磷化铟; 砷化镓; 化学腐蚀;
机译:基于InGaAsP / InP和GaAs / AlGaAs的p-i-n和p-p-n-n结构中相位调制的比较研究
机译:通过GaP和GaAs分解源的MBE均匀生长高质量的2直径In_0.53Ga_0.47As / In_0.52Al_0.48As / InP和In_0.2Ga_0.8As / GaAs / AlGaAs多量子阱晶片
机译:高性能980 nm量子阱激光器,采用无铝InGaAs-InGaAsP有源区和通过金属有机化学气相沉积法生长的AlGaAs包层的混合材料系统
机译:InGaAsP / InP,AlGaAs / GaAs和AlInGaAs / InP激光器阈值温度灵敏度的详细比较
机译:基于n-GaAs的半导体/液体结光电化学电池的光腐蚀和钝化研究。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:AlGaAs-GaAs和InGaAsP-InP半导体激光器的高性能研究
机译:基于BCl3的化学中III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第1部分:Gaas,GaN,Gap,Gasb和alGaas;应用表面科学
机译:含铟的InGaAsP / AlGaAs / GaAs异质结构二极管激光器
机译:化学机械抛光和平坦化刚玉,GaAs,GaP和GaAs / GaP合金表面的方法
机译:刚玉,GAAS,GAP和GAAS / GAP合金表面的化学机械抛光和平面化方法
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