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康学军; 林世鸣; 高俊华; 高洪海; 王启明; 王红杰; 王立轩; 张春晖;
中国科学院半导体研究所;
VCSELS; 激光器; 砷化镓; AlGaAs;
机译:去除衬底对GaAs外延层和GaAs / AlGaAs垂直腔面发射激光器的光电性能的影响
机译:基于GaAs / AlGaAs异质结双极晶体管和GaAs垂直腔面发射激光器的集成的单片光电开关
机译:硅衬底上生长的氢等离子体钝化的AlGaAs / GaAs垂直腔面发射激光器结构中增强的自发发射
机译:具有直接生长的AlGaAs / GaAs和AlxOy / GaAs DBR反射镜的1.55um垂直腔面发射激光器
机译:具有选择性蚀刻的细孔的长波长垂直腔面发射激光器。
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:垂直腔表面发射AlGaAs / GaAs QW激光器在非传统方向上的光电性能
机译:采用简单化学蚀刻工艺制造的具有低阈值电流密度的大直径InGaas / alGaas垂直腔面发射激光器
机译:垂直集成光泵的长波长垂直腔面发射激光器(长波长,垂直集成光学泵的垂直腔面发射激光器)
机译:垂直腔面发射激光器,包括纳米结构反射器和使用垂直腔面发射激光器的光学设备
机译:垂直腔面发射激光器和制造垂直腔面发射激光器的方法
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