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张益潘; 钟杜云; 陈志标; 郑联喜; 吴荣汉;
中国科学院半导体研究所;
VCSEL; 外延生长; 腔面发射; 激光器;
机译:通过使用选择性Ge涂层提高长波长GaInAsN垂直腔面发射激光器的模式稳定性
机译:长波长晶圆熔融垂直腔面发射激光器中腔内图案识别模式的数值分析
机译:高速850 nm InGaAlAs氧化物限制的垂直腔面发射激光器的异常激光发射,该激光器具有大的负增益到腔波长失谐
机译:金属有机化学气相沉积生长的3.0mW GaInNAs长波长垂直腔面发射激光器
机译:具有选择性蚀刻的细孔的长波长垂直腔面发射激光器。
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:双波长垂直外腔面发射激光器:严格的生长控制和可扩展的设计
机译:用于高性能光信息网络的长波长(1.1-1.5微米)垂直腔面发射激光器和光开关的新型外延生长技术
机译:垂直集成光泵的长波长垂直腔面发射激光器(长波长,垂直集成光学泵的垂直腔面发射激光器)
机译:多波长长波长垂直腔面发射激光器阵列及其制作方法
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