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选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用

         
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讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/min,此时的氧化速率为0.58μm/ min.

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