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侯立峰; 钟景昌; 孙俘; 赵英杰; 郝永芹; 冯源;
长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;
装甲兵技术学院,电子工程系,吉林,长春,130117;
半导体技术; 垂直腔面发射激光器; 湿法氧化; 氧化限制孔径;
机译:AlGaN / GaN常关型MOSFET自终止栅极凹槽湿法刻蚀工艺中的氧化工艺研究
机译:基于三种先进氧化工艺的湿法氧化处理渗滤液的研究
机译:选择性湿法刻蚀对垂直腔面发射激光器/探测器的光谱特性的影响
机译:为了研究不同分子量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为粘合剂的影响,对微晶纤维素(MCC)湿法制粒的终点,并使用热和流变技术评估湿法和干法颗粒的性能。
机译:新型湿法氧化工艺的开发研究。阶段2
机译:具有使用n型掺杂剂和湿法氧化工艺形成的具有对准特征的半导体器件的制造方法
机译:低温硫化碱湿法氧化工艺
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