基于垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率研究

摘要

cqvip:本文主要围绕垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的湿法氧化工艺开展研究,通过阅读大量相关文献,了解垂直腔面发射激光器的制造工艺,并通过分析设计湿法氧化工艺参数,实现VCSEL芯片湿法氧化速率精确控制的工艺要求。垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其具有单纵模工作、阈值电流低、圆形光斑易于与光纤耦合、易于集成二维阵列等优势,已经成为光互连,光通信,红外识别,激光显示。