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一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺

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摘要

本发明公开了一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，本氧化工艺包括如下步骤：氧化前通入H

1. 一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺 [P] . 中国专利： CN110994359A . 2020-04-10
2. 一种垂直腔面发射激光器的湿法氧化工艺及装置 [P] . 中国专利： CN109193340B . 2019.06.28
3. Nitride deposition wafer to wafer native oxide uniformity improvement for 0.35 flash erase performance by adding thermal oxide oxidation process [P] . 美国专利： US6541339B1 . 2003-04-01

机译：通过添加热氧化物氧化工艺，氮化物沉积晶片到晶片的原生氧化物均匀性得到改善，具有0.35的快速擦除性能
4. WET-ETCHING APPARATUS OF INSULATING GLASS SUBSTRATE FOR IMPROVING ETCHING UNIFORMITY AND WET-ETCHING METHOD USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20050023083A . 2005-03-09

机译：绝缘玻璃基质以改善蚀刻均匀性的湿法蚀刻装置以及使用该方法的湿法蚀刻方法
5. ANODIZING PROCESS APPARATUS OF A METAL, WHICH IS INTEGRATED WITH A DEGREASER AND WHICH DIPS ANODIZING PROCESS COATING OBJECTS PER SECTIONS [P] . 韩国专利： KR100958368B1 . 2010-05-17

机译：一种金属的阳极氧化工艺设备，该设备与除脂剂集成在一起，并且每段的DIP阳极氧化工艺涂层对象