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刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴;
北京邮电大学理学院,北京,100876;
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;
应变; 半导体量子点; 自组织;
机译:量子点形成阈值下短周期InAs / GaAs超晶格中的横向电子传输
机译:短周期GaAs / InAs超晶格和InGaAs结合层覆盖的InAs量子点的光学特性
机译:GaAsSb / GaAsN短周期超晶格作为覆盖层,用于改进的基于InAs量子点的光电
机译:在GaAs衬底上具有(InAs)(GaAs)短周期超晶格沟道的0.2μmT形栅极2DEGFET
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:具有飞秒光纤激光器应用的短周期超晶格封盖结构的1550 nm InAs / GaAs量子点可饱和吸收镜的开发
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延
机译:利用磁激发光谱检测Inp上(Inas)(sub n)/(Gaas)(sub n)短周期超晶格中的横向成分调制
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:具有inas / ingaas超晶格的高电子迁移率晶体管的晶体管
机译:包含InAs / InGaAs超晶格的高电子迁移率晶体管
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