非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷(英文)

赵有文; 孙聂枫; 冯汉源; C.D.Beling; 孙同年; 林兰英

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用辉光放电质谱 ( GDMS)测量了原生液封直拉 ( L EC)磷化铟 ( In P)的杂质含量 .利用霍尔效应测到的非掺L EC- In P的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度 .在非掺和掺铁 In P中都可以用红外吸收谱测到浓度很高的一个氢 -铟空位复合体施主缺陷 .这个施主的浓度随着电离的铁受主 Fe2 + 浓度的增加而增加 .这些结果表明半绝缘体中氢

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来源
《半导体学报》 |2002年第5期|455-458|共4页
作者
赵有文; 孙聂枫; 冯汉源; C.D.Beling; 孙同年; 林兰英;
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作者单位

中国科学院半导体研究所材料中心;

河北半导体研究所;

香港大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.24;
关键词
磷化铟; 半绝缘; 施主缺陷; 掺铁; 辉光放电质谱;

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