掺锗单晶硅中热施主的形成

摘要

文研究了掺锗直拉单晶硅（GCz）中锗对热施主形成的影响。实验得出普通掺硼直拉单晶硅（Cz）热施主形成激活能为1.4eV，而在GCz 中形成激活能为1.9eV。低温傅里叶红外光谱（FTIR）显示含较高浓度锗（~1019cm-3）的GCz 中热施主不但吸收峰强度降低，而且峰位也发生了蓝移。结果表明GCz 中的锗在硅中引入局部应力，对热施主的形成具有明显的抑制作用。