掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)

赵有文; 罗以琳; 冯汉源; C.D.Beling; 林兰英

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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)

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利用霍尔效应、电流电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷 .

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来源
《半导体学报》 |2002年第10期|1041-1045|共5页
作者
赵有文; 罗以琳; 冯汉源; C.D.Beling; 林兰英;
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作者单位

中国科学院半导体研究所材料科学中心;

汕头大学物理系;

香港大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
掺铁浓度; 磷化铟; 半绝缘; 缺陷;

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