退火处理后非掺磷化铟的电传输特性(英文)

摘要

利用变温霍尔和电流 -电压特性 (I- V)两种方法分别对半导体和半绝缘的退火非掺磷化铟材料进行了测量 .在非掺退火后的半导体磷化铟样品中可以测到缺陷带电导 ,这与自由电子浓度较低、有一定补偿度的原生非掺磷化铟的情况类似 .非掺 SI- In P表现出不同于原生掺铁的 SI- In P的 I- V特性 ,在一直到击穿为止的外加电场范围内呈欧姆特性 ,而掺铁 SI- In P的 I- V具有与陷阱填充有关非线性特征 .根据空间电荷限制电流的理论 ,这种现象可以解释为非掺 SI- In