退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法

摘要

一种退火非掺杂磷化铟晶片材料制备半绝缘衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选用非掺杂磷化铟晶片材料；该非掺杂磷化铟晶片材料载流子浓度低于6×10¹⁵cm^-3，迁移率大于4000cm²/V.s，并测试非掺杂磷化铟晶片材料中的位错团的密度，选用位错团密度低于5个/cm²的材料，以保证退火后材料的均匀性；(2)使用纯度为光谱纯以上的铁粉和纯度六个九以上的红磷以及磷化铟晶片材料一起放入石英管中，抽真空至1×10^-2mmHg后用氢氧焰烧结密封；(3)石英管中的磷化铟晶片材料放置在样品架上，彼此隔离开以保证退火后材料的均匀性；(4)将装有磷化铟晶片材料、铁粉、红磷的石英管放入炉中退火。