Ge预非晶化硅化物工艺的研究

摘要

对全耗尽 SOI CMOS技术中的 Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究 .Ge的注入 ,使 Si非晶化 ,减小了硅化物的形成能量 .Ti硅化物在非晶层上形成 .与传统的 Ti硅化物相比 ,注 Ge硅化物工艺有两个明显的特点 :一是硅化物形成温度较低 ;二是硅化物厚度容易控制 .采用注 Ge硅化物工艺 ,使源漏薄层电阻约为 5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 ,其中 ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振电路延迟为 45