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预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺

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摘要

本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；b、用注入机对上述衬底对的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi

著录项

公开/公告号CN102403210B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-07-31

原文格式PDF
申请/专利权人无锡中微晶园电子有限公司;
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申请/专利号CN201110385947.5
发明设计人陈海峰;聂圆燕;洪根深;郭晶磊;
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申请日2011-11-29
分类号
代理机构无锡市大为专利商标事务所;
代理人曹祖良
地址 214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
入库时间 2022-08-23 09:15:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-02

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20140609 申请日:20111129

专利申请权、专利权的转移
2013-07-31

授权

授权
2012-06-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20111129

实质审查的生效
2012-04-04

公开

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