预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺

摘要

本发明涉及一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；b、用注入机对上述衬底对的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi2膜；e、去除衬底表面未形成TiSi2膜的Ti膜；f、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi2膜形成稳定C54相的TiSi2膜。本发明降低硅化钛膜的相转移温度，形成表面光滑的均匀的TiSi2膜；在亚微米/深亚微米电路的制造过程中，缓解Ti-Salicide技术的窄线条效应问题；工艺简单，具有很强的操作性。

说明书

技术领域

本发明涉及一种自对准硅化物工艺，尤其是一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，具体地说是一种能克服常规Ti-Salicide工艺形成的TiSi₂膜层均匀性差、界面粗糙以及随着特征尺寸减小方块电阻变大等问题的工艺，属于集成电路的技术领域。

背景技术

在超大规模集成电路中，随着电路规模的不断扩大和器件特征尺寸的不断减小，互连线电阻对电路性能的影响变得越来越重要。当器件尺寸进一步缩小到亚微米以下时，结深小于0.2μm时，接触孔也更小，此时不仅栅和互连电阻是限制电路速度的主要因素，而且浅结源、漏区扩散层电阻和接触电阻也成了限制电路速度的重要因素，为此发展了自对准硅化物MOS技术（即SALICIDE技术）。这种技术同时降低了栅和扩散区的薄层电阻，提高了布线能力，并大大减少了小孔的接触电阻。

许多难熔金属被研究拥有适应SALICIDE技术，目前最为成熟的是Ti-Salicide工艺。但是随着线宽（W）的减小，TiSi₂薄膜的方块电阻逐渐增大。在W大于或等于1μm时，TiSi₂薄膜的方块电阻随线宽减小稍有增加，但基本上没有明显变化；在W＜1μm且W大于或等于0.2μm时，TiSi₂薄膜的方块电阻随线宽减小而明显增加；在W小于0.2μm时TiSi₂薄膜的方块电阻随线宽减小而急剧增加，这就是Ti-Salicide工艺时的窄线宽效应。

常规Ti-Salicide工艺流程如图1~3所示：

（1）、第1步如图1所示，形成MOS器件的栅及源漏区；

（2）、第2步在圆片表面淀积一层常温Ti膜如图2所示；

（3）、第3步如图3所示，圆片进行第一次低温RTP退火形成相对高阻的C49相的TiSi₂，并选择性腐蚀掉Ti/TiN；

（4）、第4步，圆片进行第二步高温RTP退火形成稳定低阻的C54相的TiSi₂。

上述方法的缺点是反应形成的TiSi₂膜是一种表面粗糙的不均匀的膜，且随着工艺线宽的减小，TiSi₂膜的窄线宽效应越来越明显，不能达到减小栅区薄层电阻的目的。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其工艺步骤简单方便，能缓解常规Ti-Salicide工艺流程的窄线宽效应以及TiSi2膜不均匀表明粗糙的问题，降低相转移温度，能克服窄线宽效应。

按照本发明提供的技术方案，一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，所述自对准工艺包括如下步骤：

a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；

b、用注入机对上述衬底对应形成栅极区、源极区及漏极区的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；

c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；

d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi₂膜；

e、去除衬底表面未形成TiSi₂膜的Ti膜；

f、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi₂膜形成稳定C54相的TiSi₂膜。

所述衬底的材料为硅。所述非晶化离子包括Ar或As。所述注入非晶化离子为Ar离子时，注入Ar离子的能量为40Kev，剂量为1×10¹⁴~3×10¹⁴个/cm²。

所述步骤c中，淀积Ti膜的温度为200~300℃。所述步骤d中，进行低温退火的温度为640℃。

所述步骤f中，进行高温退火的温度为850℃。所述步骤c中淀积Ti膜的厚度为300à。

本发明的优点：在淀积Ti膜前通过非晶化离子注入的预非晶化处理，可以降低硅化钛膜的相转移温度，预非晶化后，高温淀积Ti膜，并通过两次退火过程形成表面光滑的均匀的TiSi₂膜；在亚微米/深亚微米电路的制造过程中，使用本发明可以有效的缓解Ti-Salicide技术的窄线条效应问题；工艺简单，具有很强的操作性。

附图说明

图1~图3为常规Ti-Salicide工艺流程示意图，其中：

图1是栅及源漏区形成后示意图。

图2是Ti膜淀积后示意图。

图3是TiSi₂形成后示意图。

图4为本发明非晶化注入示意图。

附图标记说明：1-栅极区、2-源极区、3-漏极区、4-场隔离区、5-Ti膜及6-硅化钛膜。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

为了能够使得自对准硅化物工艺中降低窄线宽效应，同时解决TiSi₂膜方块电阻不均匀及界面粗糙问题，本发明的Ti自对准硅化物工艺包括如下步骤：

a、提供衬底，并在衬底上形成栅极区1、源极区2及漏极区3；

如图1所示：本发明在衬底上形成栅极区1、源极区2及漏极区3的工艺步骤与现有工艺相一致，衬底的材料为硅；在硅上通过形成栅极区1、源极区2及漏极区3形成MOS结构；

b、用注入机对上述衬底对应形成栅极区1、源极区2及漏极区3的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；

如图4所示：所述非晶化离子包括Ar（氩）或As（砷）。所述注入非晶化离子为Ar离子时，注入Ar离子的能量为40Kev，剂量为1×10¹⁴~3×10¹⁴个/cm²；所述注入非晶化离子剂量和能量根据衬底以及衬底上的栅极区1、源极区2及漏极区3的设置进行相应设置，只要使得衬底表面的硅和多晶硅处于非晶化状态即可；衬底表面的硅为形成源极区2及漏极区3后的硅表面，多晶硅为形成栅极区1的一部分；当上述表面的硅及多晶硅处于非晶化状态时，由于非晶化硅及多晶硅的特性，能够更容易与下述要淀积的高温Ti膜5反应得到TiSi₂膜6，能降低反应和转移温度，能得到表面平滑的TiSi₂膜6，降低窄线条效应的影响；

c、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜5；

所述淀积高温Ti膜5后，形成的结构与图2中的结构相一致；所述Ti膜淀积于衬底对应形成栅极区1、源极区2及漏极区3的表面；源极区2及漏极区3的外侧设置场隔离区4；淀积Ti膜5的温度为200~300℃，所述Ti膜5的厚度为300à；

d、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜5形成C49相的TiSi₂膜6；

所述低温退火的温度为640℃；所述低温退火与高温淀积Ti膜5是在两个不同设备中进行；所述Ti膜5在低温退火时，对应于与硅接触的表面形成，TiSi₂膜；由于场隔离区4为二氧化硅，因此覆盖于场隔离区4上的Ti膜5材料依然为Ti或TiN；

e、去除衬底表面未形成TiSi₂膜6的Ti膜5；

如图3所示：由于低温退火时，高温Ti膜5与下方的Si能反应生成TiSi₂膜6，而高温Ti膜5不能与二氧化硅反应生成TiSi₂膜6；因此，场隔离区4及栅极区1两侧的Ti膜5（主要成分为Ti或TiN）被除去，能够得到位于源极区2、漏极区3及栅极区1对应表面上的TiSi₂膜6；

f、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi₂膜6形成稳定C54相的TiSi₂膜6；

所述高温退火的温度为850℃，通过高温退火后使得TiSi₂膜形成稳定相对低阻C54相的TiSi₂膜6，完成高温Ti自对准硅化物工艺。

采用本发明可以降低硅化钛膜的相转移温度，表面光滑的均匀的TiSi₂膜且有效的缓解窄线条效应问题。如针对厚度为300à的Ti膜5，采用常规Ti-Salicide工艺其相转移温度为720℃，而采用本发明其相转移温度为640℃；针对0.35μm的条，常规Ti-Salicide工艺窄线条效应明显，而采用本发明的技术，用PAI（非晶化注入）技术与高温Ti淀积结合，则没有出现窄线效应问题。

为了使Ti-Salicide能够在工艺线宽减小时发挥作用，引入了预非晶化工艺和高温Ti淀积工艺。采用Ar离子的PAI技术使硅化钛膜的相转移温度降低80度，大大促进了相转移；高温Ti淀积和PAI技术的Ti-Salicide工艺能够很好的解决Ti-Salicide技术的窄线宽效应，还可以改善常规Ti-Salicide工艺形成的TiSi2方块电阻不均匀以及界面粗糙等问题。