预非晶化离子注入对硅p＋n结构性能的影响

摘要

用Ｓｉ＾＋／Ｂ、Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋双注入结合快速退火技术制备出了较浅的ｐ＾＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＾＋或Ａｒ＾＋预蜚 晶人离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＾＋／Ｂ＾＋双注入制备 高硼原子电激活率的Ｐ＾＋薄层且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＾＋ｎ结二极管反忖电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＾＋主虽然也能抑制硼原子注入沟道