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蔡一茂; 黄如; 单晓楠; 周发龙; 王阳元;
北京大学微电子学院,北京,100871;
金属栅; 镍硅金属栅; 功函数; 超浅结; 锗预非晶化;
机译:锗和碳预非晶化注入对预硅化硫注入NiSi / Si触点电学特性的影响
机译:硅锗通道pFET中锗预非晶化注入相关的断态泄漏和性能变化
机译:锗预非晶化对锑和砷离子注入硅固相外延生长的影响
机译:锗注入对锗预非晶化形成的超浅结全硅化NiSi栅极功函数的影响
机译:通过用硅或镍-钴双分子层对硅进行完全硅化来实现双重功函数金属栅极。
机译:纳米晶镍中的形变诱导局部固态非晶化
机译:使用超薄绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的外延NiSi2晶化精确控制结位置
机译:硅离子注入对硅的非晶化研究
机译:利用掺杂的多晶硅和金属-硅-锗化合物制备功函数两倍的栅电极的方法。
机译:一种使用掺杂的多晶硅和金属硅锗化合物形成双功函数栅电极的方法
机译:使用掺杂的多晶硅和金属硅锗化合物的双功函数栅电极
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