一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种调制NiSi全硅化物金属栅功函数的方法。该方法是在淀积Ni膜时，通过顺次淀积Ni、Ho、Ni薄膜层或Ni、Ho共淀积工艺最终对应形成Ni/Ho/Ni/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si或Ni(Ho)/未掺杂多晶硅/栅介质层/衬底Si结构，再通过退火处理使得金属薄膜与未掺杂多晶硅层发生完全硅化反应形成镍钬合金全硅化物金属栅结构，即NiHoSi/栅介质层/衬底Si结构。该方法能够有效调节NiSi全硅化物金属栅的功函数使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。