机译:含金属嵌入纳米粒子的4H-SiC镍触点的金属功函数和掺杂浓度依赖的势垒高度
机译:使用具有薄绝缘体插入的低功效功能金属的金属/ n型4H-SiC触点的肖特基势垒高度降低
机译:使用各种金属制作的n型4H-SiC肖特基接触的势垒高度确定
机译:含金属嵌入纳米粒子的4H-SiC镍触点的金属功函数和掺杂浓度取决于的势垒高度
机译:金属-半导体接触的性质:金属-半导体接触中空间变化的能垒的证据。
机译:溶液合成的SnS纳米带的接触:势垒高度对金属功函数的依赖
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:阻挡层高度对半导体硅和砷化镓与纯金属接触摩擦行为的影响