机译:使用各种金属制作的n型4H-SiC肖特基接触的势垒高度确定
机译:使用各种金属制作的n型4H-SiC肖特基接触的势垒高度确定
机译:使用具有薄绝缘体插入的低功效功能金属的金属/ n型4H-SiC触点的肖特基势垒高度降低
机译:评论“与低温生长的盖层的n型氮化镓的金属接触的肖特基势垒高度” [Appl。物理来吧88,032103(2006)]
机译:金属/ 4H-SiC肖特基触点的屏障高度分析
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:X射线光电发射测定金属触点对n-GaN和p-GaN的肖特基势垒高度