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李书平; 王仁智; 蔡淑惠;
厦门大学物理系;
金属-半导体; 势垒高度; 平均键能; 电中性能级; 费米能级; 接触势垒;
机译:金属与(SiC)_(1-x)(AlN)_x半导体固溶体接触处的肖特基势垒高度的计算
机译:金属-中间-半导体结构的肖特基势垒高度调制取决于多栅晶体管的接触面取向
机译:酶生物膜夹层增强金属/半导体接触的势垒高度
机译:在n型Si和Ge上使用低功函数金属(Yb)-界面层-半导体触点,可降低接触势垒高度并降低电阻率
机译:金属-半导体接触的性质:金属-半导体接触中空间变化的能垒的证据。
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:金属与单层过渡金属二硫化物半导体接触的计算研究
机译:支持超微半导体结构金属接触研究的理论计算
机译:金属接触III-V半导体化合物的肖特基势垒高度
机译:具有不同肖特基势垒高度的常见金属接触区域及其制造方法
机译:确定金属导体接触势垒高度的方法
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