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李宝军;
欧姆接触; 接触电阻; 发光器件; 发光二极管; 表面态密度; 金属层; 理论分析; 宽禁带; 扩展电阻; 隧道效应;
机译:n型和p型Ge源极/漏极的欧姆接触电阻的比较及其对Ge金属氧化物半导体场效应晶体管的传输特性的影响
机译:在n硅金属绝缘体半导体欧姆接触中使用还原的二氧化钛中间层来降低费米能级钉扎和降低接触电阻
机译:定量提取有机半导体-金属电极界面的接触电阻及其处理对接触电阻的影响
机译:传输线测量(TLM)几何形状对比接触电阻率测定的影响。
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:高位错密度的半导体欧姆接触中形成接触电阻的新机制
机译:欧姆接触半导体金刚石的特定接触电阻测量
机译:p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的Epi结构和形成低欧姆接触电阻的Epi结构的生长方法
机译:具有降低欧姆接触电阻的氮化镓基半导体发光器件的制造方法
机译:p型GaN基半导体中低欧姆接触电阻的外延结构
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