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韩秉廷; 习聪玲; 夏鑫宇; 高慧敏;
嘉兴学院 信息科学与工程学院 浙江嘉兴314001;
肖特基势垒高度; 光子能量; 内光电流; 非线性拟合;
机译:硫注入的NiSi / n-Si结的正确肖特基势垒高度的提取:结掺杂而不是降低势垒高度
机译:肖特基势垒高度和计算Al / N-(SiC)(1-X)(ALN)(X)二极管和4H-SIC异质结的电压 - 电流特性的计算
机译:表面结构对SrRuO_3 / SrTiO_3(001)异质结中功函数和肖特基势垒高度的影响
机译:溶解氢对Fe-Cr合金异质结肖特基势垒高度的影响
机译:石墨烯/半导体肖特基结处的空间不均匀势垒高度。
机译:Pt / Ta2O5 / MoO3肖特基接触纳米带跨跨异质结的最佳传感温度的确定
机译:肖特基势垒高度的取向依赖性 La $ _0.6 $ sr $ _0.4 $ mnO $ _3 $ / srTiO $ _3 $异质结
机译:热激发和量子力学传输对光电阈值确定肖特基势垒高度的影响。
机译:降低肖特基势垒高度的方法和具有降低的肖特基势垒高度的半导体器件
机译:降低肖特基势垒高度的方法和具有降低肖特基势垒高度的半导体器件的方法
机译:形成具有改进的势垒高度的肖特基势垒结的方法
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