公开/公告号CN106158749B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201510183896.6
申请日2015-04-17
分类号
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 11:10:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
授权
授权
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8238 申请日:20150417
实质审查的生效
2016-11-23
公开
公开
机译: 半导体器件的替代金属栅极中功函数金属的选择性生长
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