CNT阵列选择性生长在金属／绝缘体／半导体基底上的高效方法在FED的应用

摘要

通过使用氩气作为传输气体在金属／绝缘体／半导体（MDS）基底上，利用热量分解存在挥发性催化剂的不固定碳氢化合物的气压CVD工艺，生长多壁碳纳米管（CNT）阵列，特别是Si／SiO2，Ti／SiO2／Si，AL2O3矩阵／Ni催化剂已经在FED应用中已被研究。结果表明，CNT生长的选择性和CNT的包装密度可以在一定的条件下控制。在所研究的表面类型中，已经获得了高密度的垂直生长和更适于定向生长的低密度CNT阵列，还有在Ni晶体上的Al2O3纳米微孔中的单个CNT。