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基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究

     

摘要

立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上.本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究.根据SE的分析获得3C-SiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度.结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响.

著录项

  • 来源
    《光散射学报》|2016年第2期|125-130|共6页
  • 作者单位

    物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁530004;

    华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631;

    中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275;

    Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603 Kuala Lumpur,Malaysia;

    Department of Physics,Auburn University,Auburn,Alabama 36849,U.S.A.;

    华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631;

    华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631;

    物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁530004;

    物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,广西大学,南宁530004;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 谱线结构;薄膜测量与分析;
  • 关键词

    3C碳化硅; 光谱椭偏仪; 拉曼散射; 厚度;

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