机译:硅锗通道pFET中锗预非晶化注入相关的断态泄漏和性能变化
Intel Corporation, Portland, OR, USA;
IBM Research, Albany, NY, USA;
IBM Research, Albany, NY, USA;
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Logic gates; Silicon germanium; Systematics; Silicon; Junctions; Implants; Transistors;
机译:锗预非晶化注入对SiGe沟道pFET中性能和栅极诱导的漏漏的影响
机译:硅锗沟道pFET中栅诱导的漏漏机理分析
机译:LSA后快速热退火过程中氟共注入对锗预非晶硅中硼扩散的影响
机译:硅 - 锗通道PFET中栅极诱导漏极泄漏系统和随机变化分析
机译:用于毫米波应用的硅锗虚拟衬底生长和硅(1-y)锗(y)/硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)HBT。
机译:高性能平面硅上锗单光子雪崩二极管探测器
机译:锗含量和应变对扩展缺陷硅/锗形成的影响
机译:锗和锗硅合金离子注入和扩散光电探测器的特性