机译:LSA后快速热退火过程中氟共注入对锗预非晶硅中硼扩散的影响
Department of Technology Development and Research, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd., Singapore;
Ion implantation; laser annealing; p-n junctions; resistance; semiconductor materials;
机译:氟增强硼在锗预变形硅中的扩散
机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
机译:锗预非晶化植入物对多脉冲闪速退火后硅中硼失活的影响
机译:硼预富化硼注入硅快速热退火形成浅层结。
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:通过快速热退火和闪光灯退火使硅和绝缘子上的硅中的硼活化和扩散