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机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
Boron; Diffusion; Germanium; Implant; Non-Gaussian Diffusion Model; SiGe; Silicon; Ultra-Shallow Junction;
机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
机译:具Hfsio栅极电介质的全应变Si_(0.75)ge_(0.25)外延膜用于高迁移率沟道金属氧化物半导体器件
机译:具有Au中间层的非晶Si / Si_(0.75)Ge_(0.25)多层薄膜的低导热性
机译:碳县 - 植入物的原子建模和硅中的快速热退火