Silicon-germanium; Systematic variation; Random variation; Gate-induced drain leakage; Pre-amorphization implant;
机译:硅锗沟道pFET中栅诱导的漏漏机理分析
机译:锗预非晶化注入对SiGe沟道pFET中性能和栅极诱导的漏漏的影响
机译:陷阱控制的隧穿对硅锗沟道p型FET中按比例缩放电源电压的栅极感应的漏极泄漏的影响
机译:硅 - 锗通道PFET中栅极诱导漏极泄漏系统和随机变化分析
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:降低直肠癌切除后吻合口渗漏的危险因素分析包括排水型:回顾性单中心研究
机译:通过优化22 nm和32 nm sOI nFET中的结型线来抑制栅极引起的漏极泄漏
机译:mOs器件中栅极引漏漏电流