40-200GHz硅锗双极电路生产工艺和应用

摘要

首先描述先进的 0.18μm　SiGe-BiCMOS 生产流程(SiGe　120)并讨论在设计SiGe　90　时如何对性能、成本和特性进行平衡以应对通信市场的需求。在此基础上,我们讨论了针对 40Gb 以上通讯应用而开发的当今世界领先的 200　GHz　SiGe　BiCMOS 加工工艺。此工艺集成了双栅 0.13μm 的数字 CMOS 电路和 SiGe 晶体管电路。