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机译:SiN侧壁工艺增加了浅p / sup + /扩展层中的寄生电阻,并且通过亚0.25- / spl mu / m pMOSFET的Ge预非晶化提高了寄生电阻
机译:晶体管性能指标,包括栅极电阻的影响及其在扩展至0.25- / spl mu / m CMOS逻辑技术中的应用
机译:低于0.1 / spl mu / m MOSFET的源/漏扩展对外部电阻的影响很小
机译:使用Sb和Ge预非晶化的新Ti-SALICIDE工艺用于0.2 / spl mu / m CMOS技术
机译:SiN侧壁工艺通过硼的氢钝化增加了浅p +延伸的寄生电阻,并通过亚非晶化对0.25 / spl mu / m以下的pMOSFET进行了预非晶化处理
机译:在废水处理过程中增加的固体保留时间是否会影响抗生素抗性基因的持久性?
机译:成功的业务流程改进 - 改变加速过程模型的延伸
机译:将病原体的寄生虫噬菌体预适应导致病原体清除率增加,并且与铜绿假单胞菌纤维化细菌分离物的抗性进展降低
机译:CO sub 2 - 激光二氧化硅表面的激光抛光,增加了1.06μm的激光损伤抗性