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吴正龙; 姚振钰; 刘志凯; 张建辉; 秦复光; 林兰英;
北京师范大学分析测试中心;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
金属硅化物; 离子束淀积; 钴; 硅-氧化硅;
机译:使用CF {sub} 4选择性淀积非晶氢化碳膜作为掩模,用于硅的反应离子刻蚀
机译:离子束诱导铂在硅衬底上沉积形成的损伤层的透射电镜研究
机译:聚焦镓离子束注入对绝缘体上硅衬底上纳米通道性能的影响
机译:在CZ晶体硅衬底上PECVD沉积a-Si:H / SiNx:H双钝化层的比较研究
机译:(001)硅衬底上的硅锗碳异质外延层的离子束改性和表征
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:通过横向选择性生长研究硅衬底上单晶金刚石的生长
机译:离子束辅助沉积法研究mgo薄膜在非晶态衬底上生长过程中的原位双轴织构
机译:在基本结晶的电容器介电层上形成具有基本选择性淀积多晶硅的电容器的方法
机译:一种制造半导体器件的方法,该方法包括通过汽相淀积在选择性氧化的Si衬底上同时生长外延和多晶硅层的Si层
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