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机译:聚焦镓离子束注入对绝缘体上硅衬底上纳米通道性能的影响
Department of Physics, Vivekananda College, 269 D. H. Road, Thakurpukur, Kolkata-700063, India;
机译:通过局部聚焦离子束注入和深反应离子刻蚀在硅基板上制备高纵横比的纳米通道
机译:离子注入硅的光学性质以及在绝缘体上的氧硅在红外中的注入分离:B〜+和P_2〜+注入掺杂的研究
机译:使用离轴电子全息图对聚焦离子束研磨的半导体进行掺杂剂分布分析;减少伪影,扩展检测范围并减少镓注入的影响
机译:半绝缘砷化镓衬底性能对注入硅的有源层的影响
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:使用聚焦离子束铣削在绝缘基板中的亚5-nm纳米烷基的制造
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机译:衬底加热通过氧气注入形成绝缘体上硅结构