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Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual

召开年：1990
召开地：New Orleans, LA
出版时间：-

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1.12th Annual GaAs IC Symposium. Technical Digest 1990 (Cat. No.90CH2889-4)

机译：第十二届年度砷化镓集成电路研讨会。 1990年技术摘要（目录号90CH2889-4）
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
2.Advanced packaging and low cost manufacturing techniques for GaAs microwave modules

机译：GaAs微波模块的先进封装和低成本制造技术
- 作者：Niehenke;E.D.;Sacks;F.E.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
3.The development of a foundry compatible power MMIC production technology

机译：代工兼容电源MMIC生产技术的发展
- 作者：Davies;I.;Bestwick;P.R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
4.The development of a foundry compatible power MMIC production technology

机译：代工兼容电源MMIC生产技术的发展
- 作者：Davies;I.;Bestwick;P.R.;Davies;B.P.;Jessup;M.;Vanner;K.C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
5.Fast thin film vanadium dioxide microwave switches

机译：快速薄膜二氧化钒微波开关
- 作者：Sovero E.;Deakin D.;Higgins J.A.;DeNatale J.F.;Pittman S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
6.Integration and packaging of GaAs MMIC subsystems using silicon motherboards

机译：使用硅母板集成和封装GaAs MMIC子系统
- 作者：Geller;B.;Tyler;J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
7.Ku-band MMIC upconverter for mobile satellite communications

机译：用于移动卫星通信的Ku频段MMIC上变频器
- 作者：Dunn;D.L.;Bruckner;C.L.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
8.62 GHz monolithic multistage indium phosphide-based HEMT amplifier

机译：基于62 GHz单片多级磷化铟的HEMT放大器
- 作者：Sovero E.;Deakin D.;Ho W.J.;Robinson G.D.;Farley C.W.;Higgins J.A.;Chang M.F.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
9.A low power 16 K GaAs HMESFET static RAM with built-in redundancy

机译：具有内置冗余的低功耗16 K GaAs HMESFET静态RAM
- 作者：Tsen T.;Kwiat J.;Walton E.;Elliott K.;Tiku S.;Cappon A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
10.A multilayer circuit technology for GaAs MMICs

机译：GaAs MMIC的多层电路技术
- 作者：Donahue R.S.;Putnam J.;Tajadod J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
11.Quantitative analysis of mask misalignment and its effect on device performance

机译：掩膜未对准及其对器件性能影响的定量分析
- 作者：Mah;M.Y.;King;J.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
12.62 GHz monolithic multistage indium phosphide-based HEMT amplifier

机译：基于62 GHz单片多级磷化铟的HEMT放大器
- 作者：Sovero E.;Deakin D.;Ho W.J.;Robinson G.D.;Farley C.W.;Higgins J.A.;Chang M.F.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
13.A low power 16 K GaAs HMESFET static RAM with built-in redundancy

机译：具有内置冗余的低功耗16 K GaAs HMESFET静态RAM
- 作者：Tsen T.;Kwiat J.;Walton E.;Elliott K.;Tiku S.;Cappon A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
14.A multilayer circuit technology for GaAs MMICs

机译：GaAs MMIC的多层电路技术
- 作者：Donahue R.S.;Putnam J.;Tajadod J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
15.Fast thin film vanadium dioxide microwave switches

机译：快速薄膜二氧化钒微波开关
- 作者：Sovero;E.;Deakin;D.;Higgins;J.A.;DeNatale;J.F.;Pittman;S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
16.Integration and packaging of GaAs MMIC subsystems using silicon motherboards

机译：使用硅母板集成和封装GaAs MMIC子系统
- 作者：Geller;B.;Tyler;J.;Holdeman;L.;Phelleps;F.;Cline;P.;Laird;G.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
- packaging;
- MMICs;
- monolithic microwave ICs;
- SMB;
- etched recesses;
- transmission medium;
- chip carrier;
- heat conductor;
- reducing cost;
- reliability;
- reproducibility;
- test vehicle;
- C-band power amplifier;
- output power;
- gain;
- efficiency;
- nonlinear analysis;
17.Ku-band MMIC upconverter for mobile satellite communications

机译：用于移动卫星通信的Ku频段MMIC上变频器
- 作者：Dunn;D.L.;Bruckner;C.L.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
18.Quantitative analysis of mask misalignment and its effect on device performance

机译：掩膜未对准及其对器件性能影响的定量分析
- 作者：Mah;M.Y.;King;J.M.;Worley;R.D.;Gillespie;J.;Neidhard;R.A.;Melvin;W.L.;Hwang;J.C.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
19.AlGaAs/GaAs HBT receiver ICs for a 10 Gbps optical communication system

机译：用于10 Gbps光通信系统的AlGaAs / GaAs HBT接收器IC
- 作者：Akagi;J.;Kuriyama;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
20.An accurate system for automated on-wafer characterization of three-port devices

机译：用于三端口设备的晶圆上自动表征的准确系统
- 作者：Selmi;L.;Estreich;D.B.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
21.An improved MMIC design system composed of an electron beam direct drawing, microwave simulation and on-wafer measurement subsystems

机译：改进的MMIC设计系统，包括电子束直接绘制，微波仿真和晶圆上测量子系统
- 作者：Yamada;T.;Nishida;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
22.An X-band high-efficiency ion-implanted MMIC power amplifier

机译：X波段高效离子注入MMIC功率放大器
- 作者：Le;H.;Shih;Y.C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
23.CAD for GaAs MMIC manufacturability

机译：GaAs MMIC可制造性的CAD
- 作者：Ladbrooke P.H.;Hill A.J.;Bridge J.P.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
24.Commercial applications of GaAs ICs in Japan

机译：GaAs IC在日本的商业应用
- 作者：Noguchi T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
25.Compound semiconductor integrated circuits programmes in Europe

机译：欧洲的化合物半导体集成电路计划
- 作者：Turner J.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
26.DC to 40 GHz MMIC power sensor

机译：直流至40 GHz MMIC功率传感器
- 作者：Goff M.E.;Barratt C.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
27.Design and applications of a 3:1 bandwidth GaAs monolithic spiral quadrature hybrid

机译：3：1带宽GaAs单片螺旋正交混合电路的设计与应用
- 作者：Ali;F.;Podell;A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
28.Development of static random access memories using complementary heterostructure insulated gate field effect transistor technology

机译：利用互补异质结构绝缘栅场效应晶体管技术开发静态随机存取存储器
- 作者：Grider;D.E.;Akinwande;A.I.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
29.Effects of semi-insulating gallium arsenide substrate properties on silicon implanted active layer

机译：半绝缘砷化镓衬底性能对注入硅的有源层的影响
- 作者：Orito;F.;Watanabe;K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
30.Extraction of accurate switched linear network models for high performance GaAs MESFET logic gates

机译：提取高性能GaAs MESFET逻辑门的精确开关线性网络模型
- 作者：Parker;A.E.;Skellern;D.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
31.FET-FET logic: a high performance, high noise margin E/D logic family

机译：FET-FET逻辑：高性能，高噪声容限E / D逻辑系列
- 作者：LaRue;G.;Williams;T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
32.GaAs high-speed data transfer network for a parallel processing system

机译：用于并行处理系统的GaAs高速数据传输网络
- 作者：Kitaura;Y.;Kameyama;A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
33.GaAs MESFET LSI design using E/D-DCFL circuits

机译：使用E / D-DCFL电路的GaAs MESFET LSI设计
- 作者：Onodera T.;Onodera H.;Sugisaki S.;Okamoto M.;Suyama K.;Kuryu I.;Nishi H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
34.GaAs MMIC yield modeling

机译：GaAs MMIC成品率建模
- 作者：Norris G.B.;Barratt C.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
35.High speed 8:1 multiplexer and 1:8 demultiplexer implanted with AlGaAs/GaAs HBTs

机译：植入AlGaAs / GaAs HBT的高速8：1多路复用器和1：8解复用器
- 作者：Nubling;R.B.;Yu;J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
36.High speed dual modulus dividers using AlInAs-GaInAs HBT IC technology

机译：采用AlInAs-GaInAs HBT IC技术的高速双模分频器
- 作者：Jensen;J.F.;Stanchina;W.E.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
37.Highly integrated I-Q converters for 900 MHz applications

机译：高度集成的I-Q转换器，用于900 MHz应用
- 作者：OSullivan P.;Benton R.;Podell A.;Wachsman J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
38.High-performance microwave power MESFETs on GaAs/Si

机译：GaAs / Si上的高性能微波功率MESFET
- 作者：Sriram S.;Messham R.L.;Smith T.J.;Hobgood H.M.;Driver M.C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
39.High-speed characteristics of multilayer ceramic packages and test fixtures

机译：多层陶瓷封装和测试夹具的高速特性
- 作者：Smith;D.H.;Savara;R.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
40.Low temperature coefficient of resistance, GaPt/PtAs/sub 2/ integrated circuit resistor

机译：电阻温度系数低，GaPt / PtAs / sub 2 /集成电路电阻
- 作者：Camp;W.O.;Jr.;Genova;V.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
41.Manufacturing technology and yield studies for MMIC 5-bit digital attenuators and phase-shifters

机译：MMIC 5位数字衰减器和移相器的制造技术和良率研究
- 作者：Gupta;R.;Holdeman;L.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
42.Millimeter wave monolithic IC's using direct ion implantation in to GaAs LEC substrates

机译：使用直接离子注入GaAs LEC衬底的毫米波单片IC
- 作者：Lau;C.L.;Feng;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
43.MMIC receiver front-end for 15 GHz urban link

机译：适用于15 GHz城市链路的MMIC接收机前端
- 作者：Van Heghe J.;Verbiest R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
44.Monolithic GaAs W-band pseudomorphic MODFET amplifiers

机译：单片GaAs W波段伪非晶MODFET放大器
- 作者：Sequeira;H.B.;Duncan;S.W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
45.Monolithic integrated circuits for mm-wave instrumentation

机译：毫米波仪器的单片集成电路
- 作者：Marsland R.A.;Madden C.J.;Van Der Weide D.W.;Shakouri M.S.;Bloom D.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
46.New device technologies developed in the Japanese national project on super computer system

机译：日本国家超级计算机系统项目中开发的新设备技术
- 作者：Yanazawa;H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
47.0.5-23 GHz MMIC amplifier modules

机译：0.5-23 GHz MMIC放大器模块
- 作者：Ishitsuka F.;Hosoya M.;Tomimuro H.;Takachio N.;Onodera K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
48.10 K gate GaAs JFET sea of gates

机译：10 K栅GaAs JFET栅海
- 作者：Kawasaki H.;Wada M.;Hida Y.;Takano C.;Kashahara J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
49.100 GHz high-gain InP MMIC cascode amplifier

机译：100 GHz高增益InP MMIC级联放大器
- 作者：Majidi-Ahy R.;Nishimoto C.;Riaziat M.;Pao Y.C.;Weng S.L.;Silverman S.;Glenn M.;Zdasiuk G.;Bandy S.;Tan Z.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
50.10-Gbit/s GaAs MESFET IC's for ultra high-speed transmission systems

机译：用于超高速传输系统的10Gbit / s GaAs MESFET IC
- 作者：Togashi;M.;Ohhata;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
51.44 GHz monolithic HEMT downconverter

机译：44 GHz单片HEMT下变频器
- 作者：Berenz J.;LaCon M.;Aust M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
52.A 1.6 Watt high efficiency 7-11 GHz power MMIC

机译：1.6瓦高效7-11 GHz功率MMIC
- 作者：Avasarala M.;Day D.S.;Chan S.;Hua C.;Basset J.R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
53.A 2.5 Gbit/s GaAs clock and data regenerator IC

机译：2.5 Gbit / s GaAs时钟和数据再生器IC
- 作者：Ransijn H.;OConnor P.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
54.A 6- to 18-GHz two-stage distributed low noise amplifier designed for high yield

机译：设计用于高成品率的6至18 GHz两级分布式低噪声放大器
- 作者：Culver;J.;Bacon;P.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
55.A 7 K gate self-testable scalar-product processor for high definition video transmission applications

机译：适用于高清视频传输应用的7 K门可自检标量积处理器
- 作者：Lowe;K.S.;Kim;S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
56.A GaAs ACT/IC programmable wide-band analog signal processor

机译：GaAs ACT / IC可编程宽带模拟信号处理器
- 作者：Bales J.E.;Hoskins M.J.;Sahm P.H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
57.A GaAs pin-for-pin compatible replacement for the ECL 100474 4 K SRAM

机译：GaAs引脚对引脚兼容的替代品，用于替代ECL 100474 4 K SRAM
- 作者：Fiedler;A.;Kang;D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
58.A GaAs vertical PIN diode production process

机译：GaAs垂直PIN二极管的生产工艺
- 作者：Zych D.;Beall J.;Seymour D.;Delaney J.;Mercer B.;Stidham J.;Wdowik M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
59.A high performance 6 to 18 GHz MMIC converter chip for EW systems

机译：用于电子战系统的高性能6至18 GHz MMIC转换器芯片
- 作者：Fudem H.;Dietz G.;Haubenstricker R.;Hargis R.;Moghe S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
60.A high speed multi-modulus HBT prescaler

机译：高速多模数HBT预分频器
- 作者：Sheng N.H.;Pierson R.L.;Wang K.C.;Nubling R.B.;Asbeck P.M.;Chang M.F.;Edwards W.L.;Erlandson R.J.;Phillips D.E.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
61.A high speed production die sort system for high gain MMIC receivers

机译：用于高增益MMIC接收器的高速生产管芯分类系统
- 作者：Dammann;C.A.;Wallave;P.W.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
62.A high-capacitance ratio implanted MMIC varactor for broadband phase shifters and tuners

机译：用于宽带移相器和调谐器的高电容比植入式MMIC变容二极管
- 作者：Eldridge;G.W.;Driver;M.C.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
63.A high-efficiency HBT MMIC power amplifier

机译：高效HBT MMIC功率放大器
- 作者：Ramachandran R.;Nijjar M.;Podell A.;Stoneham E.;Mitchell S.;Wang N.L.;Ho W.J.;Chang M.F.;Sullivan G.J.;Higgins J.A.;Asbeck P.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
64.A high-speed GaAs 16 Kb SRAM of 4.4 ns/2 W using triple-level metal interconnection

机译：使用三级金属互连的4.4 ns / 2 W高速GaAs 16 Kb SRAM
- 作者：Nakano;H.;Noda;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
65.A K-band single-chip transmitter

机译：K波段单芯片发射机
- 作者：Hirota;T.;Muraguchi;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
66.A low-power, high-speed 10-bit GaAs DAC

机译：低功耗，高速10位GaAs DAC
- 作者：Naber J.F.;Singh H.P.;Sadler R.A.;Latusis J.E.;Tanis W.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
67.A manufacturable 0.4 mu m process for high-performance LSI circuits

机译：适用于高性能LSI电路的0.4微米可制造工艺
- 作者：Sadler;R.A.;Studtmann;G.D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
68.A monolithic X-band 3 W power amplifier with 4.5 GHz bandwidth

机译：具有4.5 GHz带宽的单片X波段3 W功率放大器
- 作者：LeSage;S.R.;Mendes;M.J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
69.A multi-chip packaged GaAs 16*16 bit parallel multiplier

机译：多芯片封装GaAs 16 * 16位并行乘法器
- 作者：Sekiguchi;T.;Sawada;S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
70.A multifunctional HBT technology

机译：多功能HBT技术
- 作者：Ho W.J.;Chang M.F.;Sheng N.H.;Wang N.L.;Asbeck P.M.;Wang K.C.;Nubling R.B.;Sullivan G.J.;Higgins J.A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
71.A new interfacing method 'SCFL-interfacing' is proposed for ultra-high-speed logic ICs

机译：提出了一种用于超高速逻辑IC的新接口方法“ SCFL接口”
- 作者：Takada;T.;Ohtsuka;H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
72.A novel FET structure of buried plated heat sink for superior high performance GaAs MMICs

机译：用于高性能GaAs MMIC的埋入式散热器的新型FET结构
- 作者：Okaniwa;K.;Ishikawa;T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
73.A novel self-aligned gate process for GaAs LSI using ECR-CVD

机译：使用ECR-CVD的GaAs LSI的新型自对准栅工艺
- 作者：Shikata S.;Sawada S.;Tsuchimoto J.;Hayashi H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
74.A package design for ultra-high speed GaAs integrated circuits

机译：超高速GaAs集成电路的封装设计
- 作者：Kamada C.;Nakazato N.;Hatta Y.;Mitsusada K.;Takai A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
75.A pipelined 650 MHz GaAs 8 K ROM with translation logic

机译：具有转换逻辑的流水线650 MHz GaAs 8 K ROM
- 作者：Chun J.;Enam S.;Kang D.;Remund B.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
76.A Q-band monolithic AlGaAs/GaAs HEMT CPW downconverter

机译：Q波段单片AlGaAs / GaAs HEMT CPW下变频器
- 作者：Ton;T.N.;Chen;T.H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
77.A Q-band monolithic balanced resistive HEMT mixer using CPW/slot-line balun

机译：使用CPW /槽线巴伦的Q波段单片平衡电阻式HEMT混频器
- 作者：Chen;T.H.;Ton;T.N.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
78.A Rh/Au/Rh rigid air-bridge interconnection technique for ultra-high speed GaAs LSIs

机译：用于超高速GaAs LSI的Rh / Au / Rh刚性气桥互连技术
- 作者：Inoue;T.;Tomita;K.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
79.A very small MMIC variable filter based on a new active filter design concept

机译：基于新型有源滤波器设计概念的超小型MMIC可变滤波器
- 作者：Suwaki;H.;Ohira;T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
80.Advanced design for wideband MMIC power amplifiers

机译：宽带MMIC功率放大器的高级设计
- 作者：Dueme P.;Aperce G.;Lazar S.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
81.Octave band InGaAs HEMT MMIC LNAs to 40 GHz

机译：倍频波段InGaAs HEMT MMIC LNA至40 GHz
- 作者：Nelson B.;Jones W.;Archer E.;Allen B.;Dufault M.;Streit D.;Liu P.;Oshita F.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
82.Passive 8-16 GHz MMIC image-reject mixer

机译：无源8-16 GHz MMIC镜像抑制混频器
- 作者：Murphy M.T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
83.Reliability analysis of GaAs/AlGaAs HBTs under forward current/temperature stress

机译：GaAs / AlGaAs HBT在正向电流/温度应力下的可靠性分析
- 作者：Hafizi;M.E.;Pawlowicz;L.M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
84.Reliability and failure analysis of MMIC amplifier fabricated on various GaAs substrates

机译：在各种GaAs衬底上制造的MMIC放大器的可靠性和故障分析
- 作者：Esfandiari;R.;Sato;T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
85.Resonant-tunneling devices and circuits

机译：谐振隧道装置和电路
- 作者：Sollner T.C.L.G.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
86.Stepper technology in 0.5 mu m GaAs monolithic microwave integrated circuits (MMIC) applications

机译：0.5μmGaAs单片微波集成电路（MMIC）应用中的步进技术
- 作者：Fink;S.L.;Chi;T.Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
87.The 200 MHz- and 1.5 GHz-band GaAs monolithic quadrature modulator ICs

机译：200 MHz和1.5 GHz频段的GaAs单片正交调制器IC
- 作者：Maemura;K.;Kohno;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
88.Ultrahigh-speed HEMT LSI technology

机译：超高速HEMT LSI技术
- 作者：Abe M.;Mimura T.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
89.Use of two-dimensional process and device modeling to solve some real problems in GaAs MESFET design and analysis

机译：使用二维过程和器件建模解决GaAs MESFET设计和分析中的一些实际问题
- 作者：Anholt;R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
90.W-band monolithic mixer using InAlAs/InGaAs HEMT

机译：使用InAlAs / InGaAs HEMT的W波段单片混频器
- 作者：Kwon;Y.;Pavlidis;D.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
91.Wideband very fast set-on receiver

机译：宽带超快速接收器
- 作者：Helms D.;Komiak J.J.;Egtvedt M.;Jacomb-Hood A.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
92.Working with nine different foundries

机译：与九家不同的铸造厂合作
- 作者：Stoneham E.B.;OSullivan P.A.J.;Mitchell S.W.;Podell A.F.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
93.X-band monolithic four-stage LNA with pulse-doped GaAs MESFETs

机译：具有脉冲掺杂GaAs MESFET的X波段单片四级LNA
- 作者：Shiga N.;Nakajima S.;Otobe K.;Sekiguchi T.;Kuwata N.;Matsuzaki K.-i.;Hayashi H.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
94.10 K gate GaAs JFET sea of gates

机译：10 K栅GaAs JFET栅海
- 作者：Kawasaki H.;Wada M.;Hida Y.;Takano C.;Kashahara J.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
- input level;
- JFET sea of gates;
- gate length;
- DCFL;
- 4-NOR circuit;
- SCFL;
- inverter circuit;
- output level;
- gate delays;
- power consumption;
- toggle frequency;
- T-type flip-flop;
- 0.5 micron;
- 3.9 GHz;
- 4.4 GHz;
- GaAs;
- field effect integrated circuits;
- flip-flo;
95.100 GHz high-gain InP MMIC cascode amplifier

机译：100 GHz高增益InP MMIC级联放大器
- 作者：Majidi-Ahy R.;Nishimoto C.;Riaziat M.;Pao Y.C.;Weng S.L.;Silverman S.;Glenn M.;Zdasiuk G.;Bandy S.;Tan Z.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
- coplanar waveguide;
- MMIC;
- cascode amplifier;
- maximum bandwidth;
- maximum-gain bias point;
- W-band;
- HEMTs;
- active devices;
- overall chip dimensions;
- modeling circuit design;
- 80 GHz;
- 8.0 dB;
- 12 dB;
- 0.1 micron;
- 75 to 100 GHz;
- InP;
- InGaAs-InAlAs;
- aluminium;
96.10-Gbit/s GaAs MESFET IC's for ultra high-speed transmission systems

机译：用于超高速传输系统的10Gbit / s GaAs MESFET IC
- 作者：Togashi;M.;Ohhata;M.;Murata;K.;Kindoh;H.;Ino;M.;Suzuki;M.;Yamane;Y.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
97.44 GHz monolithic HEMT downconverter

机译：44 GHz单片HEMT下变频器
- 作者：Berenz J.;LaCon M.;Aust M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
98.A 1.6 Watt high efficiency 7-11 GHz power MMIC

机译：1.6瓦高效7-11 GHz功率MMIC
- 作者：Avasarala M.;Day D.S.;Chan S.;Hua C.;Basset J.R.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
99.A 6- to 18-GHz two-stage distributed low noise amplifier designed for high yield

机译：设计用于高成品率的6至18 GHz两级分布式低噪声放大器
- 作者：Culver;J.;Bacon;P.;Hoff;G.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年
- two-stage distributed low noise amplifier;
- yield;
- MMIC;
- LNA;
- fabrication cost;
- RF requirements;
- process variations;
- sensitivity;
- 6 to 18 GHz;
- 12.5 dB;
- 5.5 dB;
- microwave amplifiers;
- MMIC;
100.A 7 K gate self-testable scalar-product processor for high definition video transmission applications

机译：适用于高清视频传输应用的7 K门可自检标量积处理器
- 作者：Lowe;K.S.;Kim;S.;Sitch;J.E.;Fortier;M.
- 会议名称：《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》 | 1990年