-10<'4>cm<'-2>量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10<'4>cm<'-2>量级).发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响.低AB-EPD的片子跨导大;高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,'/>
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付生辉; 刘彩池; 王海云; 徐岳生; 郝景臣;
中国电子学会;
半绝缘砷化镓; MESFET器件; 跨导性能;
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