一种在硅衬底上淀积硅化物的方法

摘要

本发明有关一种在硅衬底上淀积硅化物的方法，用以克服现有技术中由于针孔现象对半导体器件的影响，其首先，在硅衬底上使用PECVD方式淀积一层厚度为100～300的二氧化硅；然后，在所述二氧化硅上使用PECVD方式再淀积一层厚度为100～300的第一氮化硅；最后，在所述第一氮化硅上使用LPCVD方式再淀积一层厚度为50～200的第二氮化硅。由于二氧化硅及氮化硅层分别淀积，所以其各自的针孔会相互错开，所以有效克服了针孔现象的影响，降低漏电流。