用于在衬底上淀积多晶硅层的装置

摘要

本发明涉及一种装置(100)，用于在基本为平面的、细长移动衬底(4)上淀积基于多晶硅的层，所述衬底(4)具有两个纵向面(43，44)和两个纵向侧边(41，42)，所述装置包括：含有熔融硅浴液(2)的坩埚(1)，所述衬底(4)至少部分浸入到所述浴液当中，并沿细长衬底的长向基本竖直地穿过所述浴液的平衡面(21)；至少一个边缘控制元件(5，5′)，每一边缘控制元件保持基本竖直地靠近所述两个纵向侧边(41，42)之一；且每一边缘控制元件包括分隔壁(51到53′)，所述壁界定位于所述相应的纵向侧边旁边的纵向开口(54，54′)，每一开口部分浸入到所述浴液(2)当中，从而通过毛细管作用提升所述浴液的液面。本发明的特征在于：至少一个部分面对所述纵向面之一的所述分隔壁(51到52′)基本为平面的。