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Si衬底上原子层淀积Al2O3薄膜的界面层抑制

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在原子层淀积高k栅介质工艺中,如何抑止Si衬底与高k栅介质的界面层生长非常重要.因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数,而且会增加界面缺陷,导致器件性能变差.通过TMA预处理,我们发现可以把原子层淀积Al2O3薄膜的界面层从1.7nm降低到0.5nm.XPS分析表明,在原子层淀积起始生长周期中,TMA预处理增强了界面的生长,但整个35个生长周期后界面层却被抑止了.我们提出了一个简单的模型合理地解释了观察到的实验现象.

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来源
《第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛》|2006年|474-476|共3页
会议地点兰州
作者
徐敏; 张卫; 孙清清; 丁士进; 王季陶;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;TN304.21;
关键词
原子层淀积; Al2O3薄膜; 界面层抑制; Si衬底; TMA预处理;

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