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原子层淀积Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3薄膜晶体管存储器的研究

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采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积的Ni纳米晶平均直径约为3-4nm,密度约为1.01×1012cm-2,制备的存储器器件表现出良好的编程和电擦除特性,器件在14V,5ms下编程和在-15V,300ms下擦除条件下,器件的存储窗口达到2.62V.

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来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|105-107|共3页
会议地点上海
作者
钱仕兵; 丁士进;
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作者单位

上海市学位委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP333.2:TP305;
关键词
薄膜晶体管存储器; 原子层淀积; 叠层结构; 镍纳米晶; 三氧化二铝;

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