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原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

         
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摘要

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.

著录项

  • 来源
    《功能材料》 |2005年第6期|809-812,816|共5页
  • 作者

    卢红亮; 徐敏; 张剑云; 陈玮; 任杰; 张卫; 王季陶;

  • 作者单位

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

    复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜技术;氧化层生长;
  • 关键词

    原子层淀积(ALD); 金属氧化物薄膜; 高k材料;

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