脉冲激光沉积法制备金属氧化物薄膜晶体管研究进展

摘要

随着透明柔性电子显示产业的发展,作为核心器件的薄膜晶体管(TFT)已经引起了越来越多的关注.金属氧化物具有高透明度、高迁移率等优点,在众多半导体材料中脱颖而出,结合可低温制备高性能金属氧化物薄膜的脉冲激光沉积(PLD)技术,透明柔性TFT的研究取得了巨大进展.主要介绍了PLD沉积薄膜的基本原理,阐述了PLD制备过程中氧压、工艺温度和靶材组分等因素对金属氧化物薄膜及TFT器件性能影响的研究进展,探讨PLD制备金属氧化物薄膜在透明柔性TFT的未来发展方向.