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金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展

         
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摘要

最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注.文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法.

著录项

  • 来源
    《现代显示》 |2010年第10期|28-32|共5页
  • 作者

    刘翔; 薛建设; 贾勇; 周伟峰; 肖静; 曹占峰;

  • 作者单位

    京东方科技集团股份有限公司,TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京,100176;

    京东方科技集团股份有限公司,TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京,100176;

    京东方科技集团股份有限公司,TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京,100176;

    京东方科技集团股份有限公司,TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京,100176;

    山东省泰山学院物理与电子工程学院,山东泰安,271021;

    京东方科技集团股份有限公司,TFT-LCD器件与材料技术研究所,北京,100176;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN383.+1;
  • 关键词

    薄膜晶体管; 氧化铟镓锌; 氧化物; 器件结构;

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