声明
摘要
缩写及符号表
1．1引言
1．2氧化物半导体
1．3氧化物半导体的发展历史
1．3．1n型氧化物半导体
1．3．2p型氧化物半导体
1．4柔性CMOS电路的研究现状
1．5研究背景和内容
第二章柔性器件的制备工艺探索与优化
2．1．2牺牲层Ni的制备
2．1．3界面分离过程的优化
2．2器件性能优化工艺
2．2．1器件结构优化
2．2．2PMMA包覆对器件性能的提升
2．3柔性器件的制备
2．3．1刚性衬底上制备器件流程
2．3．2转移至柔性衬底流程
2．4器件电学性能测试
2．5本章小结
第三章互补型柔性氧化物半导体TFTs的制备和应变测试
3．1TFT的关键性能参数
3．2柔性氧化物半导体TFTs的电学性能
3．3柔性器件的应变测试方法及计算
3．4柔性TFTs的应变测试及结果分析
3．5本章小结
第四章基础柔性CMOS电路
4．1CMOS反相器的工作原理
4．2柔性CMOS反相器的设计和制备
4．3柔性CMOS反相器的应变测试
4．4与非门、或非门的电路结构和工作原理
4．5柔性与非门、或非门的制备与测试
4．5．1柔性与非门、或非门的制备
4．5．2柔性与非门、或非的应变测试
4．6柔性5阶环形振荡器的制备
4．7本章小结
5．1结论
5．2展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的研究成果
山东大学;
